增強型mosfet

綜合上述增強型n MOSFET之物理動作原理可得iD對VDS之曲線如圖14-5 所示。三極管區與飽合區之邊界曲線為VDS=VGS-Vt,此式代入(14-1)式可得 ( 14-3 ) 關係曲線如圖14-6。曲線於操作點之斜率id/vgs為小訊號等效電路之互導gm ...

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    金屬氧化物半導體場效電晶體 - 維基百科,自由的百科全書
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  • 삳 륱ꑬ뻇7-28 뾳 뉺 깝 MOSFET뫘쏾 MOSFET 덱륄뫘쏾 결NMOS(n-channel MOSFET) PMOS (p-channel MOSFET)ꅁV GS ...
    MOSFETꪺ뫘쏾 - ::: 歡迎光臨中興大學物理系,請選擇你所要前往的 ...
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