空乏區寬度公式
空乏區寬度公式
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結合，使得在結合面附近的區域內缺乏載子，形成空乏區（Depletion region） ... 如果 逆向偏壓愈大時, 因空乏區寬度增加, 使其電容變小; 反之, 順向偏壓愈大時,...Chap 2 二極體http://sites.ccvs.kh.edu.tw
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電洞）。 其中，空乏區中的少數載子（P 型為電子，N 型為電洞）受到接面電場的 ... 上 所遭受到的能量障壁越來越低；此一趨勢，隨著偏壓的增強，空乏區的寬度. 越來越 ...P-N 接面二極體P-N Junction Diodehttp://www.taiwan921.lib.ntu.e
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靠近接面的區域形成沒有可移動載子的區域，此區域稱為空乏區(depletion region) 或空間電荷區(space-charge ... 空乏區的寬度會隨著順向電壓的上升而減少...pn接面二極體的動作原理http://pub.tust.edu.tw
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結合，使得在結合面附近的區域內缺乏載子，形成空乏區（Depletion region） ... 如果逆向偏壓愈大時, 因空乏區寬度增加, 使其電容變小; 反之, 順向偏壓愈大時,....[PDF] Chap 2 二極體http://sites.ccvs.kh.edu.tw
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電洞）。 其中，空乏區中的少數載子（P 型為電子，N 型為電洞）受到接面電場的 ... 上所遭受到的能量障壁越來越低；此一趨勢，隨著偏壓的增強，空乏區的寬度. 越來越 ....[PDF] P-N 接面二極體P-N Junction Diodehttp://www.taiwan921.lib.ntu.e
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max ε ε. pA. nD. xqN. xqN. E. = = Si. 2. 2. 1 ε. nD. xqN. Si. 2. 2. 1 ε. pA. xqN p n d d. ...[PDF] pn 接面http://ezphysics.nchu.edu.tw
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中興物理孫允武. 加偏壓對空乏區之影響. E. C. E. V. qV bi. E g. 中性區. 中性區. 空乏區. υD .... 複電場及電位的計算可得，內建電位和空乏區寬度...[PDF] pn接面二極體的電流電壓特性http://ezphysics.nchu.edu.tw
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摻雜較輕者對空乏區寬度貢獻較大. 空乏區多分佈在摻雜較輕的一邊. 和電中性xnND=xpNA所得結論相同. 半導體物理與元件3-10. 中興物理孫允武. 求內建電位Vbi.[PDF] 三、二極體原理及電路模型http://140.120.11.1
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公式集. 第二章. 第1 頁／共2 頁. ※ 第二章二極體的物理性質及特性. 1．電子軌道之各主層可容納 ... 空乏區的寬度與摻雜雜度濃度成反比. ND × Wn = NA × ...[PDF] 第二章二極體的物理性質及特性n = p = ni n × p = nihttp://203.72.21.251
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嗨請教各位高分在推此公式時其中E(X)=qND/ε x (X-Xn) ,0<X<Xn 這邊我總覺得該是 (Xn-X)才對請也有上高分課程的朋友幫忙在上課板書第3頁 .....[課業] 電子學空乏區寬度公式推導- 看板Examination - 批踢踢實 ...https://www.ptt.cc
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嗨請教各位高分在推此公式時其中E(X)=qND/ε x (X-Xn) ,0<X<Xn 這邊我總覺得該是(Xn-X)才對請也有上高分課程的朋友幫忙在上課板書第3頁&nbs...[課業] 電子學空乏區寬度公式推導- 看板Examination - 批踢踢實業坊https://www.ptt.cc
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摻雜較輕者對空乏區寬度貢獻較大. 空乏區多分佈在摻雜較輕的一邊. 和電中性xnND =xpNA所得結論相同. 半導體物理與元件3-10. 中興物理孫允武. 求內建電位Vbi.三、二極體原理及電路模型http://140.120.11.1
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max ε ε. pA. nD. xqN. xqN. E. = = Si. 2. 2. 1 ε. nD. xqN. Si. 2. 2. 1 ε. pA. xqN p n d d ....二極體原理http://ezphysics.nchu.edu.tw
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電源正端接二極體P端、負端接二極體N端稱為順向偏壓，空乏區的寬度變窄. 4. ... 對 矽及鍺而言，溫度每上升10OC，逆向飽和電流(俗稱漏電流)增加一倍，公式為：. 9.單元三稽納二極體(ZD) - 開南商工首頁http://web1.knvs.tp.edu.tw
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在順向偏壓的時候，空乏區寬度會減小，根據空乏區寬度公式可推導。但實際上偏壓 並不會完全作用在空乏區上，當順向偏壓超過內建電壓，部分電壓 ...大學物理相關內容討論:PN介面空乏區的問題 - 國立臺灣師範大學物 ...http://www.phy.ntnu.edu.tw
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在順向偏壓的時候，空乏區寬度會減小，根據空乏區寬度公式可推導。但實際上偏壓並不會完全作用在空乏區上，當順向偏壓超過內建電壓，部分電壓 ...大學物理相關內容討論:PN介面空乏區的問題 - 國立臺灣師範大學物理學系http://www.phy.ntnu.edu.tw
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2016年6月14日 - 在順向偏壓的時候，空乏區寬度會減小，根據空乏區寬度公式可推導。但實際上偏壓並不會完全作用在空乏區上，當順向偏壓超過內建電壓，部分電壓 ...大學物理相關內容討論:PN介面空乏區的問題 - 科學園http://enjoy.phy.ntnu.edu.tw
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2016年9月25日 ... 若要增加擴散電流，一個方式是增加濃度差距，另一個方式是減少「距離」，距離我們 可以視為空乏區的寬度，只要空乏區越窄，擴散電流就會越高。空乏層| 科學Onlinehttp://highscope.ch.ntu.edu.tw
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空乏區的寬度與偏壓的關係為(A)順向電壓愈高，空乏區愈寬(B)逆向電壓愈高，空乏 ..... 公式2-3. 2-7.2稽納二極體的逆向偏壓特性. 如圖2-24(a)所示，為稽納二...第2章http://web.sphs.hc.edu.tw