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臨界電壓定義

當器件由空乏向反轉轉變時，要經歷一個Si表面電子濃度等於電洞濃度的狀態。此時器件處於臨界導通狀態，器件的閘極電壓定義為閾值電壓，它是MOSFET的重要參數之一。參考資料 [編輯] ^

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MOSFET的臨界電壓 | Yahoo奇摩知識+

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金氧半場效電晶體的臨界電壓（threshold voltage ）主要由閘極與通道材料的功函式之間的差異來決定，而因為多晶矽本質上是半導體，所以可以藉由摻雜不同極性的雜質來改變其功...

金屬氧化物半導體場效電晶體 - 維基百科，自由的百科全書

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國立雲林科技大學電子工程系碩士班碩士論文次臨界擺幅 (V/dec)是典型用來代表閘極控制能力的參數，它是被用於定義使得電流值增加或減少一個order所需要多少的閘極電壓值，...

臨界電壓定義,臨界電壓 vt 公式條目|愛維基

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電能表的啟動工作是指電能表正常計量、顯示和記錄事件等，設計的最低電壓可低於此臨界值。定義電能表能夠啟動工作的最低電壓，此值為參比電壓下限（對寬量程的電能表此值為參比電壓下限）的...

臨界電壓 -華人百科

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因為作業急需知道以下問題臨界電壓(threshold voltage )的穩定範圍?? 現在業界所用的片電阻值? 用VGS和IDS計算活化能的公式請各位高手解答^^

臨界電壓等問題 | Yahoo奇摩知識+

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當器件由空乏向反轉轉變時，要經歷一個Si表面電子濃度等於電洞濃度的狀態。此時器件處於臨界導通狀態，器件的閘極電壓定義為閾值電壓，它是MOSFET的重要參數之一。參考資料 [編輯]...

閾值電壓 - 維基百科，自由的百科全書

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許多問題，這種現象稱為短通道效應(Short Channel Effects)。而通道的定義 ... 下降、汲極引發位能障下降、次臨界斜率上升。以下將一一說明這些問題的造成原因。 ...

1.1 環繞式閘極電晶體與多晶矽薄膜電晶體回顧

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臨界壓力定義壓力定義精采文章壓力定義,超導體臨界溫度,物理壓力定義,工作壓力定義[網路當紅],微積分定義域,2007/6/18 · 定每種物質臨界點的三個量分別是「臨界溫度」、「臨...

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MOSFET的臨界電壓（threshold voltage）主要由閘極與通道材料的功函數（work function）之間的差異來決定，而因為多晶硅本質上是半導體，所以可以藉由摻雜...

MOSFET- 台灣Wiki

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