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mosfet飽和區

超過pinch-off電壓後，VDS再增加對通道之影響甚小，iD亦維持在VDS=VGS-Vt時之值，故此時iD為飽和( Saturation )，剛進入飽和區之VDS記為VDS,sat.。VDS與通道之關係可由圖14-4 ...

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在 VGS ＞ Vth 的條件下，當 VDS=VGS-Vth 時，MOS 剛好達到飽和狀態的條件，若 VDS ＞ VGS-Vth，MOS 就進入飽和區 ... MOSFET — 直...

2010

http://blog.xuite.net
我查到維基百科上有說明雙載子接面電晶體（Bipolar Junction Transistor，又稱雙極電晶體、雙載子接面三極體）操作模式雙極電晶體有三種主要工作區間：截止區...

BJT與MOSFET應用 | Yahoo奇摩知識+

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圖8-7 N 通道增強型MOSFET 之夾止飽和區工作模式電子學II 98 2 特性曲線由上述分析，可知增強型MOSFET 的屺點電流關係為 IG=0 8-1 IS=IG+I...

ch08 - 國立屏東高工教師部落格

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MOSFET 삳룓걏ꑈ쏾 돌 륱뒹엩뫘쏾ꅁ 꽓 걏 륱뢣 덱끔곛쏶 륱ꑬ덝돆 ꅁꑪ뙱 덯뫘륱뒹엩뙽쏶산 귌덂뉺ꅂ륂뫢 끏뻐 ꑪ뙱 볆뻚ꅃ MOSFET 떲멣꽓 빁 덑 ...

MOSFETꪺ뻞Ꝁ귬뉺 - ::: 歡迎光臨中興大學物理系，請選擇你所要前 ...

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我的方法如下首先JFET與MOSFET分類成兩大類 1.JFET與空乏型MOSFET 2.增強型MOSFET 判別進入飽和區條件有兩個 ... 我的方法如下首先JFET與MOS...

Re: [問題] JFET和MOSFET工作區判定 - 看板 Electronics - 批踢 ...

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超過pinch-off電壓後，VDS再增加對通道之影響甚小，iD亦維持在VDS=VGS-Vt時之值，故此時iD為飽和( Saturation )，剛進入飽和區之VDS記為VDS,s...

單元十四:MOSFET特性

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N 通道增強型MOSFET 反相器電路，假設，則電晶體偏壓在Cut-off 且，，輸出電壓，且電晶體無消耗功率。當，電晶體一開始偏壓在飽和區，但隨著上升，下降，電晶...

場效電晶體(The Field-Effect Transistor)

http://ocw.stust.edu.tw
增強型 MOSFET 構造及電路符號如圖 (1)，增強型 NMOS 的基體 (substrate) 為 p 型半導體，源極和汲極端為 ... 所以位於飽和區增強型 PMOS...

增強型 MOSFET

http://pub.tust.edu.tw
二、MOSFET 直流電路分析例3.3：一個n 通道增強型MOSFET 之共源極電路，求其ID 和VDS。如圖(a) 之電路，R1 = 30kΩ，R2 = 20 kΩ，RD=2...

第3 章 MOSFET 講義與作業

http://eportfolio.lib.ksu.edu.
以金氧半場效電晶體（MOSFET）的命名來看，事實上會讓人得到錯誤的印象。因為MOSFET跟英文單字「metal ... 的公式也是理想狀況下，金氧半場效電晶體在飽和區操作的電流與...

金屬氧化物半導體場效電晶體 - 维基百科，自由的百科全书

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